Caractérisation électrique de d'impédance thermique des transistors HEMTs GaN en utilisant " la méthode 3ω "

Mustafa Avcu (1) , Raphaël Sommet (1) , Jean-Pierre Teyssier (1) , Raymond Quéré (1)

1 XLIM-C2S2 - C2S2

Dans cet article, nous présentons une méthode de caractérisation pour la détermination de l'impédance thermique des transistors HEMT GaN. La méthode est inspirée par la " méthode 3ω " initialement proposée par D.G. Cahill afin de mesurer la conductivité thermique de films minces. Elle repose sur la mesure de la tension à la troisième harmonique aux bornes de l'élément résistif à caractériser. Cette mesure de l'amplitude des oscillations dites thermiques est une image réelle de l'impédance thermique du composant.

Domaines: Electronique

Mustafa Avcu, Raphaël Sommet, Jean-Pierre Teyssier, Raymond Quéré. Caractérisation électrique de d'impédance thermique des transistors HEMTs GaN en utilisant " la méthode 3ω ". 18 eme Journée Nationales Microondes, May 2013, Paris, France. pp.1-3. ⟨hal-00917723⟩