First reliability demonstration of sub-200 nm AlN/GaN-on-silicon double heterostructure HEMTs for Ka band applications
G. Meneghesso
(1)
,
M. Meneghini
(1)
,
F Medjdoub
(2)
,
Y. Tagro
(2)
,
B. Grimbert
(2)
,
D. Ducatteau
(2)
,
N. Rolland
(2)
,
R. Silvestri
(1)
,
E. Zanoni
(1)
F Medjdoub
- Fonction : Auteur
- PersonId : 740399
- IdHAL : faridmedjdoub
- ORCID : 0000-0002-4753-4718
- IdRef : 084651512
B. Grimbert
- Fonction : Auteur
- PersonId : 745508
- IdHAL : bertrand-grimbert
N. Rolland
- Fonction : Auteur
- PersonId : 749625
- IdHAL : nathalie-rolland