Les propriétés du graphène en mille-feuille

Antonio Tejeda (1, 2) , Amina Taleb-Ibrahimi (1) , Claire Berger (3)

1 SSOLEIL - Synchrotron SOLEIL
2 IJL - Institut Jean Lamour
3 NEEL - QuantECA - Circuits électroniques quantiques Alpes

La croissance de graphène sur du carbure de silicium SiC est compatible avec les technologies de lithographie existantes, et donc avec le développement de dispositifs où le silicium atteint ses limites. Le mode de croissance du graphène est très différent suivant qu'il croît sur la face silicium ou sur la face carbone du SiC : alors que l'empilement des couches de graphène sur la face silicium est graphitique, les couches sur la face carbone présentent un empilement rotationnel particulier, non graphitique. Ceci leur confère des propriétés originales, similaires à celles de couches de graphène isolées, comme nous l'avons en effet observé de manière directe, par photoémission à haute résolution.

Mots clés: graphene; photo emission spetroscopy; electronic band structure

Domaines: Systèmes mésoscopiques et effet Hall quantique [cond-mat.mes-hall]

Antonio Tejeda, Amina Taleb-Ibrahimi, Claire Berger. Les propriétés du graphène en mille-feuille. Reflets de la Physique, 2013, 34-35, pp.84-89. ⟨10.1051/refdp/201334084⟩. ⟨hal-00911806⟩