Reduction of Oxygen Content in Thin PVD-TiN Film and Improvement of Electrical Characteristics by Covering it with PEALD-TaCN

F. Piallat; R. Gassilloud; P. Caubet; B. Pelissier; Cédric Leroux; Corentin Vallée; F. Martin; S. Maitrejean

Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Reduction of Oxygen Content in Thin PVD-TiN Film and Improvement of Electrical Characteristics by Covering it with PEALD-TaCN

(1, 2, 3) , , , (1) , , (1) , ,

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F. Piallat

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

STMicroelectronics [Crolles]

R. Gassilloud

Fonction : Auteur

P. Caubet

Fonction : Auteur

B. Pelissier

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Cédric Leroux

Fonction : Auteur

Corentin Vallée

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

F. Martin

Fonction : Auteur

S. Maitrejean

Fonction : Auteur

Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00908484

Soumis le : samedi 23 novembre 2013-16:22:48

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:14

Dates et versions

hal-00908484 , version 1 (23-11-2013)

Identifiants

HAL Id : hal-00908484 , version 1

Citer

F. Piallat, R. Gassilloud, P. Caubet, B. Pelissier, Cédric Leroux, et al.. Reduction of Oxygen Content in Thin PVD-TiN Film and Improvement of Electrical Characteristics by Covering it with PEALD-TaCN. 2013 MRS Spring Meeting, 2013, San Francisco, United States. ⟨hal-00908484⟩

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