Thermal Stability of Silicon Carbide Power JFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2013

Thermal Stability of Silicon Carbide Power JFETs

Cyril Buttay
Rémy Ouaida
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 933492
Hervé Morel
Dominique Bergogne
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 902061
Christophe Raynaud
Florent Morel

Résumé

Silicon carbide (SiC) JFETs are attractive devices, but they might suffer from thermal instability. An analysis shows that two mechanisms could lead to their failure: the loss of gate control, which can easily be avoided, and a thermal runaway caused by the conduction losses. Destructive experimental tests performed on a dedicated system show that the latter mechanism is more severe than initially expected. A low thermal resistance and gate driver equipped with protections systems are thus required to ensure safe operation of the SiC JFETs.
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Thermal_limitations_of_SiC_JFETs_final.pdf (695.1 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-00881667 , version 1 (08-11-2013)

Identifiants

Citer

Cyril Buttay, Rémy Ouaida, Hervé Morel, Dominique Bergogne, Christophe Raynaud, et al.. Thermal Stability of Silicon Carbide Power JFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (12), pp.4191 - 4198. ⟨10.1109/TED.2013.2287714⟩. ⟨hal-00881667⟩
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