HEMTs 100nm AlSb/InAs pour applications faible bruit, faible consommation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

HEMTs 100nm AlSb/InAs pour applications faible bruit, faible consommation

S. Bagumako
  • Fonction : Auteur
C. Gardes
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
Nicolas Wichmann
Francois Danneville
S. Bollaert
X. Wallart
Yannick Roelens
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-00878375

Soumis le : mercredi 30 octobre 2013-08:56:37

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00878375 , version 1 (30-10-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00878375 , version 1

Citer

S. Bagumako, C. Gardes, L. Desplanque, Nicolas Wichmann, Francois Danneville, et al.. HEMTs 100nm AlSb/InAs pour applications faible bruit, faible consommation. 18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, 2013, Paris, France. papier J2-DA1-3, 4 p. ⟨hal-00878375⟩

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