Electron transport in passivated AlGaN/GaN/Si HEMTs

M. Gassoumi; H. Mosbahi; A. Soltani; Vanessa Avramovic; M.A. Zaidi; Christophe Gaquière; H. Mejri; H. Maaref

doi:10.1016/j.mssp.2013.06.025

Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2013

Electron transport in passivated AlGaN/GaN/Si HEMTs

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1

M. Gassoumi

Fonction : Auteur

H. Mosbahi

Fonction : Auteur

A. Soltani

Fonction : Auteur
PersonId : 178734
IdHAL : ali-soltani
ORCID : 0000-0001-6185-0760
IdRef : 061426644

Vanessa Avramovic

Fonction : Auteur
PersonId : 1305447
IdHAL : vanessaavramovic
ORCID : 0000-0002-0259-5373

CV

M.A. Zaidi

Fonction : Auteur

Christophe Gaquière

Fonction : Auteur
PersonId : 746853
IdHAL : christophe-gaquiere
ORCID : 0000-0003-3082-2489
IdRef : 059765615

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

H. Mejri

Fonction : Auteur

H. Maaref

Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00872024

Soumis le : vendredi 11 octobre 2013-10:44:59

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00872024 , version 1 (11-10-2013)

Identifiants

HAL Id : hal-00872024 , version 1
DOI : 10.1016/j.mssp.2013.06.025

Citer

M. Gassoumi, H. Mosbahi, A. Soltani, Vanessa Avramovic, M.A. Zaidi, et al.. Electron transport in passivated AlGaN/GaN/Si HEMTs. Materials Science in Semiconductor Processing, 2013, 16, pp.1775-1778. ⟨10.1016/j.mssp.2013.06.025⟩. ⟨hal-00872024⟩

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