Optoelectronic properties of p-i-n heterojunctions based on germanium nanocrystals

S. Parola; É. Quesnel; V. Muffato; L. Xie; K. Leifer; J. Coignus; A. Slaoui

Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2013

Optoelectronic properties of p-i-n heterojunctions based on germanium nanocrystals

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S. Parola

Fonction : Auteur
PersonId : 18697
IdHAL : stephanie-parola
ORCID : 0000-0002-2991-3781
IdRef : 165929731

Département des Technologies des Nouveaux Matériaux (Ex Département des Technologies des NanoMatériaux)

CV

É. Quesnel

Fonction : Auteur

V. Muffato

Fonction : Auteur

L. Xie

Fonction : Auteur

K. Leifer

Fonction : Auteur

J. Coignus

Fonction : Auteur
PersonId : 764486
ORCID : 0000-0001-8898-5999

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

A. Slaoui

Fonction : Auteur

Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Marie-Anne Jung : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00861673

Soumis le : vendredi 13 septembre 2013-11:47:52

Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-10:50:03

Dates et versions

hal-00861673 , version 1 (13-09-2013)

Identifiants

HAL Id : hal-00861673 , version 1

Citer

S. Parola, É. Quesnel, V. Muffato, L. Xie, K. Leifer, et al.. Optoelectronic properties of p-i-n heterojunctions based on germanium nanocrystals. Journal of Applied Physics, 2013, 114, pp.033510_1-6. ⟨hal-00861673⟩

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