Metal organic vapour-phase epitaxy growth of GaN wires on Si (111) for light-emitting diode applications

Damien Salomon (1, 2) , Amélie Dussaigne (2) , M. Lafossas (2) , C. Durand (3) , Catherine Bougerol (4) , Pierre Ferret (2) , Joël Eymery (3)

1 INAC - Institut Nanosciences et Cryogénie
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 SP2M - UMR 9002 - Service de Physique des Matériaux et Microstructures
4 NEEL - NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Damien Salomon, Amélie Dussaigne, M. Lafossas, C. Durand, Catherine Bougerol, et al.. Metal organic vapour-phase epitaxy growth of GaN wires on Si (111) for light-emitting diode applications. Nanoscale Research Letters, 2013, 8 (1), pp.61. ⟨10.1186/1556-276X-8-61⟩. ⟨hal-00854179⟩