Nondestructive depth-resolved spectroscopic investigation of the heavily intermixed In2S3/Cu(In,Ga)Se-2 interface - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2010

Nondestructive depth-resolved spectroscopic investigation of the heavily intermixed In2S3/Cu(In,Ga)Se-2 interface

M. Bar
  • Fonction : Auteur
S. Pookpanratana
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J. Klaer
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M. Blum
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Y. Zhang
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Jd Denlinger
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Hw Schock
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L. Weinhardt
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C. Heske
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Résumé

The chemical structure of the interface between a nominal In2S3 buffer and a Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) thin-film solar cell absorber was investigated by soft x-ray photoelectron and emission spectroscopy. We find a heavily intermixed, complex interface structure, in which Cu diffuses into (and Na through) the buffer layer, while the CIGSe absorber surface/interface region is partially sulfurized. Based on our spectroscopic analysis, a comprehensive picture of the chemical interface structure is proposed.

Dates et versions

hal-00848883 , version 1 (29-07-2013)

Identifiants

Citer

M. Bar, Nicolas Barreau, F. Couzinie-Devy, S. Pookpanratana, J. Klaer, et al.. Nondestructive depth-resolved spectroscopic investigation of the heavily intermixed In2S3/Cu(In,Ga)Se-2 interface. Applied Physics Letters, 2010, 96 (18), pp.184101. ⟨10.1063/1.3425739⟩. ⟨hal-00848883⟩
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