Article Dans Une Revue
Applied physics. A, Materials science & processing
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00827378
Soumis le : mercredi 29 mai 2013-10:58:40
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
F. Alibart, D.B. Strukov. Utilizing NDR effect to reduce switching threshold variations in memristive devices. Applied physics. A, Materials science & processing, 2013, 111, pp.199-202. ⟨10.1007/s00339-013-7550-5⟩. ⟨hal-00827378⟩
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