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Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Conception de VCOs 15 GHz à très faible bruit de phase intégrés sur technologie BiCMOS SiGe 0,25μm

Jérémy Hyvert
SIC
Jean-Marie Paillot
SIC
David Cordeau
SIC

Résumé

Ce papier présente les résultats issus de l'étude de deux topologies d'oscillateurs contrôlés en tension entièrement intégrés sur une technologie BiCMOS SiGe:C 0,25μm, développée par NXP Semiconductors (QUBiC4X). La principale caractéristique analysée porte sur les performances en terme de bruit de phase. Les topologies retenues sont des architectures reconnues comme étant parmi les plus performantes dans les bandes L ou S. Il nous a donc semblé intéressant d'évaluer leurs performances dans la bande Ku pour laquelle les technologies III-V sont généralement utilisées.

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hal-00824592 , version 1 (22-05-2013)

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  • HAL Id : hal-00824592 , version 1

Citer

Jérémy Hyvert, Jean-Marie Paillot, David Cordeau, Pascal Philippe. Conception de VCOs 15 GHz à très faible bruit de phase intégrés sur technologie BiCMOS SiGe 0,25μm. JNM 2013, May 2013, Paris, France. pp.J2-DA-P10. ⟨hal-00824592⟩
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