Contribution of the buffer layer to the Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC(0001) - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue New Journal of Physics Année : 2013

Contribution of the buffer layer to the Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC(0001)

F. Fromm
  • Fonction : Auteur
M.H. Oliveira
  • Fonction : Auteur
A. Molina-Sanchez
  • Fonction : Auteur
M. Hundhausen
  • Fonction : Auteur
J.M.J. Lopes
  • Fonction : Auteur
H. Riechert
  • Fonction : Auteur
T. Seyller
  • Fonction : Auteur

Résumé

We report a Raman study of the so-called buffer layer with (6√3 × 6√3)R30◦ periodicity which forms the intrinsic interface structure between epitaxial graphene and SiC(0001). We show that this interface structure leads to a nonvanishing signal in the Raman spectrum at frequencies in the range of the D- and G-band of graphene and discuss its shape and intensity. Ab-initio phonon calculations reveal that these features can be attributed to the vibrational density of states of the buffer-layer.
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Dates et versions

hal-00823434 , version 1 (29-08-2022)

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Citer

F. Fromm, M.H. Oliveira, A. Molina-Sanchez, M. Hundhausen, J.M.J. Lopes, et al.. Contribution of the buffer layer to the Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC(0001). New Journal of Physics, 2013, 15, pp.043031-1-11. ⟨10.1088/1367-2630/15/4/043031⟩. ⟨hal-00823434⟩
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