Effect of passivation on pinch-off current leakage characteristics of AlGaN/GaN/Si HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Effect of passivation on pinch-off current leakage characteristics of AlGaN/GaN/Si HEMTs

H. Mosbahi
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
H. Mejri
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
B. Grimbert
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
M.A. Zaidi
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00819700

Soumis le : jeudi 2 mai 2013-09:36:40

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00819700 , version 1 (02-05-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00819700 , version 1

Citer

H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, B. Grimbert, et al.. Effect of passivation on pinch-off current leakage characteristics of AlGaN/GaN/Si HEMTs. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2013, Symposium D - Advanced inorganic materials and structures for photovoltaics, 2013, Strasbourg, France. ⟨hal-00819700⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
38 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More