High transconductance on AlGaN/GaN HEMT on (110) silicon substrate

J.C. Gerbedoen; A. Soltani; Y. Cordier; Jean-Claude de Jaeger

Communication Dans Un Congrès Année : 2012

High transconductance on AlGaN/GaN HEMT on (110) silicon substrate

, , , (1)

1

J.C. Gerbedoen

Fonction : Auteur
PersonId : 753136
IdHAL : jean-claude-gerbedoen
ORCID : 0000-0001-5954-0616

A. Soltani

Fonction : Auteur
PersonId : 178734
IdHAL : ali-soltani
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Y. Cordier

Fonction : Auteur
PersonId : 750365
IdHAL : yvon-cordier
ORCID : 0000-0003-3720-9409
IdRef : 128170794

Jean-Claude de Jaeger

Fonction : Auteur
PersonId : 747322
IdHAL : jean-claude-dejaeger

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00814978

Soumis le : jeudi 18 avril 2013-09:30:10

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00814978 , version 1 (18-04-2013)

Identifiants

HAL Id : hal-00814978 , version 1

Citer

J.C. Gerbedoen, A. Soltani, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger. High transconductance on AlGaN/GaN HEMT on (110) silicon substrate. 7th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2012, 2012, Amsterdam, Netherlands. pp.413-416. ⟨hal-00814978⟩

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