Progress in the development of (In)AlN/GaN heterostructure for next generation mmW applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Progress in the development of (In)AlN/GaN heterostructure for next generation mmW applications

F Medjdoub
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00811764

Soumis le : jeudi 11 avril 2013-10:00:41

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00811764 , version 1 (11-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00811764 , version 1

Citer

F Medjdoub. Progress in the development of (In)AlN/GaN heterostructure for next generation mmW applications. 61st IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2013, Workshop WMA : Advancements in InAlN/Gan Device and Microwave/MMW Circuit Technology, 2013, Seattle, WA, United States. ⟨hal-00811764⟩

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