Etude des effets parasites dans les transistors à haute mobilité à base de nitrure : HEMT AlGaN/GaN - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Etude des effets parasites dans les transistors à haute mobilité à base de nitrure : HEMT AlGaN/GaN

M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
O. Fathallah
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
G. Guillot
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00811731

Soumis le : jeudi 11 avril 2013-09:17:44

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00811731 , version 1 (11-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00811731 , version 1

Citer

M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, G. Guillot, H. Maaref. Etude des effets parasites dans les transistors à haute mobilité à base de nitrure : HEMT AlGaN/GaN. 11èmes Journées Maghrébines des Sciences de Matériaux, JMSM 2008, 2008, Hammamet, Tunisie. ⟨hal-00811731⟩

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