Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2013
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00809856
Soumis le : mercredi 10 avril 2013-07:33:00
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
A. Soltani, J.C. Gerbedoen, Y. Cordier, D. Ducatteau, Michel Rousseau, et al.. Power performance of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on (110) silicon substrate at 40 GHz. IEEE Electron Device Letters, 2013, 34, pp.490-492. ⟨10.1109/LED.2013.2244841⟩. ⟨hal-00809856⟩
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