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Communication Dans Un Congrès Année : 2012

SiCl4/Cl2 plasmas: a new chemistry to etch high-k material selectively to Si-based Alloys

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00808860

Soumis le : dimanche 7 avril 2013-20:26:21

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:37

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00808860 , version 1 (07-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00808860 , version 1

Citer

P. Bodart, G. Cunge, C. Petit-Etienne, Maxime Darnon, M. Haass, et al.. SiCl4/Cl2 plasmas: a new chemistry to etch high-k material selectively to Si-based Alloys. Plasma Etch and Strip in Microelectronics conference, 2012, Grenoble, France. ⟨hal-00808860⟩

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