Self assembly patterning using block copolymer for advanced CMOS technology

T. Chevolleau; G. Cunge; X. Chevalier; R. Tiron; Maxime Darnon; C. Navarro; S. Magnet

Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Self assembly patterning using block copolymer for advanced CMOS technology

(1) , (1) , , (2) , (1) , ,

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2

T. Chevolleau

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

G. Cunge

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

X. Chevalier

Fonction : Auteur

R. Tiron

Fonction : Auteur

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Maxime Darnon

Fonction : Auteur
PersonId : 17906
IdHAL : maxime-darnon
ORCID : 0000-0002-6188-7157
IdRef : 124051758

Laboratoire des technologies de la microélectronique

CV

C. Navarro

Fonction : Auteur

S. Magnet

Fonction : Auteur

Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00808857

Soumis le : dimanche 7 avril 2013-20:24:10

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:37

Dates et versions

hal-00808857 , version 1 (07-04-2013)

Identifiants

HAL Id : hal-00808857 , version 1

Citer

T. Chevolleau, G. Cunge, X. Chevalier, R. Tiron, Maxime Darnon, et al.. Self assembly patterning using block copolymer for advanced CMOS technology. Plasma Etch and Strip in Microelectronics conference, 2012, Grenoble, France. ⟨hal-00808857⟩

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