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Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Towards new plasma technologies for 22nm gate etch processes and beyond

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00808670 , version 1 (05-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00808670 , version 1

Citer

O. Joubert, Maxime Darnon, G. Cunge, E. Pargon, T. David, et al.. Towards new plasma technologies for 22nm gate etch processes and beyond. SPIE-AL, 2012, San Jose, CA, United States. ⟨hal-00808670⟩
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