Electrical transport measurements and topography of III-V semiconductor nanowires by four probe and low temperature scanning tunneling microscopy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Electrical transport measurements and topography of III-V semiconductor nanowires by four probe and low temperature scanning tunneling microscopy

Corentin Durand
Maxime Berthe
Y. Makoudi
  • Fonction : Auteur
T.H. Nguyen
  • Fonction : Auteur
P. Caroff
  • Fonction : Auteur
J.P. Nys
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00807581 , version 1 (04-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00807581 , version 1

Citer

Corentin Durand, Maxime Berthe, Y. Makoudi, T.H. Nguyen, P. Caroff, et al.. Electrical transport measurements and topography of III-V semiconductor nanowires by four probe and low temperature scanning tunneling microscopy. Materials Research Society Fall Meeting, MRS Fall 2011, Symposium BB : Semiconductor nanowires for photovoltaics, 2011, Boston, MA, United States. ⟨hal-00807581⟩
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