Coulomb energy determination of a single Si dangling bond

T.H. Nguyen; G. Mahieu; Maxime Berthe; B. Grandidier; C. Delerue; D. Stievenard; P. Ebert

Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Coulomb energy determination of a single Si dangling bond

, , , , , (1) ,

1

T.H. Nguyen

Fonction : Auteur

G. Mahieu

Fonction : Auteur

Maxime Berthe

Fonction : Auteur
PersonId : 744929
IdHAL : maxime-berthe
ORCID : 0000-0002-3918-7111
IdRef : 121162656

B. Grandidier

Fonction : Auteur
PersonId : 740217
IdHAL : bruno-grandidier
ORCID : 0000-0001-6131-7309
IdRef : 084580135

CV

C. Delerue

Fonction : Auteur
PersonId : 175246
IdHAL : christophe-delerue
ORCID : 0000-0002-0427-3001
IdRef : 035741163

CV

D. Stievenard

Fonction : Auteur
PersonId : 747967
IdHAL : didier-stievenard

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

P. Ebert

Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00807579

Soumis le : jeudi 4 avril 2013-08:33:11

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00807579 , version 1 (04-04-2013)

Identifiants

HAL Id : hal-00807579 , version 1

Citer

T.H. Nguyen, G. Mahieu, Maxime Berthe, B. Grandidier, C. Delerue, et al.. Coulomb energy determination of a single Si dangling bond. Herodot Summer School, 2011, Cargese, France. ⟨hal-00807579⟩

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