Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00807162
Soumis le : mercredi 3 avril 2013-09:26:39
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00807162 , version 1
Citer
Y. Wang, H.P. Lei, P. Ruterana, Jie Chen, S. El Kazzi, et al.. TEM and molecular dynamics simulation investigation of the anisotropic strain relaxation in GaSb islands on GaP. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2011, Symposium G : Semiconductor nanostructures towards electronic and optoelectronic device applications, 2011, Nice, France. ⟨hal-00807162⟩
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