TEM and molecular dynamics simulation investigation of the anisotropic strain relaxation in GaSb islands on GaP - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

TEM and molecular dynamics simulation investigation of the anisotropic strain relaxation in GaSb islands on GaP

Y. Wang
  • Fonction : Auteur
H.P. Lei
  • Fonction : Auteur
P. Ruterana
  • Fonction : Auteur
Jie Chen
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 761941
  • IdRef : 200253832
S. El Kazzi
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00807162 , version 1 (03-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00807162 , version 1

Citer

Y. Wang, H.P. Lei, P. Ruterana, Jie Chen, S. El Kazzi, et al.. TEM and molecular dynamics simulation investigation of the anisotropic strain relaxation in GaSb islands on GaP. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2011, Symposium G : Semiconductor nanostructures towards electronic and optoelectronic device applications, 2011, Nice, France. ⟨hal-00807162⟩
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