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Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Strain relaxation at the GaSb/GaAs and GaSb/GaP interfaces

L. Desplanque
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
S. El Kazzi
  • Fonction : Auteur
Christophe Coinon
Y. Wang
  • Fonction : Auteur
P. Ruterana
  • Fonction : Auteur
X. Wallart

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https://hal.science/hal-00807153

Soumis le : mercredi 3 avril 2013-09:09:03

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00807153 , version 1 (03-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00807153 , version 1

Citer

L. Desplanque, S. El Kazzi, Christophe Coinon, Y. Wang, P. Ruterana, et al.. Strain relaxation at the GaSb/GaAs and GaSb/GaP interfaces. 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2011, 2011, Berlin, Germany. ⟨hal-00807153⟩

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