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Journal articles
Beneficial effect of very thin active layer on the performance of microcrystalline silicon TFT
Mamadou Lamine Samb
1
Emmanuel Jacques
1
Khalid Kandoussi
1
Khaled Belarbi
1
Nathalie Coulon
1
Tayeb Mohammed-Brahim
1
Mamadou Lamine Samb 1
Author
Emmanuel Jacques 1
Author IdHAL : emmanuel-jacques ORCID : https://orcid.org/0000-0002-2807-6811
Khalid Kandoussi 1
Author
Khaled Belarbi 1
Author
Nathalie Coulon 1
Author
Tayeb Mohammed-Brahim 1
Author
1
IETR - Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique (Campus de Beaulieu Bâtiment 11D
263 Av.Général Leclerc-CS 74205
35042 Rennes Cedex - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR6164 (France)
- CentraleSupélec (3, rue Joliot Curie, Plateau de Moulon, 91192 GIF-SUR-YVETTE Cedex - France)
- INSA Rennes - Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (20, avenue des Buttes de Coësmes - CS 70839 - 35708 Rennes cedex 7 - France)
- UR1 - Université de Rennes 1 (2 rue du Thabor - CS 46510 - 35065 Rennes cedex - France)
- UNIV-RENNES - Université de Rennes (France)
- UN - Université de Nantes (1, quai de Tourville - BP 13522 - 44035 Nantes cedex 1 - France)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadatas
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00804867
Contributor : Yolande Sambin <>
Submitted on : Tuesday, March 26, 2013 - 2:38:58 PM
Last modification on : Thursday, January 7, 2021 - 4:15:55 PM
Contributor : Yolande Sambin <>
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Last modification on : Thursday, January 7, 2021 - 4:15:55 PM
Identifiers
- HAL Id : hal-00804867, version 1
Collections
UNIV-NANTES | UNIV-RENNES1 | CNRS | IETR | UR1-UFR-ISTIC | IETR-MM | UNIV-RENNES | INSA-GROUPE | INSA-RENNES
Citation
Mamadou Lamine Samb, Emmanuel Jacques, Khalid Kandoussi, Khaled Belarbi, Nathalie Coulon, et al.. Beneficial effect of very thin active layer on the performance of microcrystalline silicon TFT. ECS Transactions, Electrochemical Society, Inc., 2012, 49 (1), pp.59-67. ⟨hal-00804867⟩
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