Article Dans Une Revue
Materials Science Forum
Année : 2012
Publications Ampère : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00803061
Soumis le : mercredi 20 mars 2013-23:32:45
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00803061 , version 1
- DOI : 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.169
Citer
Davy Carole, Stéphane Berckmans, Arthur Vo-Ha, Mihai Lazar, Dominique Tournier, et al.. Buried selective growth of p-doped SiC by VLS epitaxy. Materials Science Forum, 2012, 717-720, pp.169-172. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.169⟩. ⟨hal-00803061⟩
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