Characterization on AlGaN/GaN/Si HEMTs devices passivated with SiN/SiO2 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Characterization on AlGaN/GaN/Si HEMTs devices passivated with SiN/SiO2

H. Mosbahi
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
M.A. Zaidi
  • Fonction : Auteur
Vanessa Avramovic
CV
Christophe Gaquière
B. Grimbert
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00801155

Soumis le : vendredi 15 mars 2013-11:15:20

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00801155 , version 1 (15-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00801155 , version 1

Citer

H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Vanessa Avramovic, Christophe Gaquière, et al.. Characterization on AlGaN/GaN/Si HEMTs devices passivated with SiN/SiO2. 36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2. ⟨hal-00801155⟩

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