Recent achievement in the GaN epitaxy on silicon and engineered substrates process transfer for MBE high volume production - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Recent achievement in the GaN epitaxy on silicon and engineered substrates process transfer for MBE high volume production

A. Wilk
  • Fonction : Auteur
M. Lijadi
  • Fonction : Auteur
R. Langer
  • Fonction : Auteur
P. Bove
  • Fonction : Auteur
J. Thorpe
  • Fonction : Auteur
H. Blanck
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
N. Defrance
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00800978 , version 1 (14-03-2013)

Identifiants

Citer

A. Wilk, M. Lijadi, R. Langer, P. Bove, J. Thorpe, et al.. Recent achievement in the GaN epitaxy on silicon and engineered substrates process transfer for MBE high volume production. Materials Research Society Fall Meeting, MRS Fall 2008, Symposium on Performance and Reliability of Semiconductor Devices, 2008, Boston, MA, United States. pp.35-42, ⟨10.1557/PROC-1108-A04-01⟩. ⟨hal-00800978⟩
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