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Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Microwave power capabilities of InAlN/GaN HEMTs

Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Christophe Gaquière
Y. Douvry
  • Fonction : Auteur
N. Defrance
Virginie Hoel
S.L. Delage
  • Fonction : Auteur
M.A. Di Forte-Poisson
  • Fonction : Auteur
N. Sarazin
  • Fonction : Auteur
E. Morvan
  • Fonction : Auteur
M. Alomari
  • Fonction : Auteur
E. Kohn
  • Fonction : Auteur
A. Dussaigne
  • Fonction : Auteur
J.F. Carlin
  • Fonction : Auteur
C. Ostermaier
  • Fonction : Auteur
J. Kuzmik
  • Fonction : Auteur
D. Pogany
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00800883

Soumis le : jeudi 14 mars 2013-16:02:37

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00800883 , version 1 (14-03-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00800883 , version 1

Citer

Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, Y. Douvry, N. Defrance, Virginie Hoel, et al.. Microwave power capabilities of InAlN/GaN HEMTs. 18th International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications, MIKON-2010, 2010, Vilnius, Lithuania. pp.324-327. ⟨hal-00800883⟩

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