TEM characterization of Si nanowires grown by CVD on Si pre-structured by nanosphere lithography

J.K.N. Lindner; D. Hourlier; D. Kraus; M. Weinl; Thierry Melin; B. Stritzker

doi:10.1016/j.mssp.2008.09.016

Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2008

TEM characterization of Si nanowires grown by CVD on Si pre-structured by nanosphere lithography

, , , , (1) ,

1

J.K.N. Lindner

Fonction : Auteur

D. Hourlier

Fonction : Auteur
PersonId : 180343
IdHAL : djamila-hourlier
ORCID : 0000-0002-4044-4429
IdRef : 074545507

D. Kraus

Fonction : Auteur
PersonId : 768121
ORCID : 0000-0002-6350-4180

M. Weinl

Fonction : Auteur

Thierry Melin

Fonction : Auteur
PersonId : 744412
IdHAL : thierry-melin
IdRef : 11444756X

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

B. Stritzker

Fonction : Auteur

Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00800706

Soumis le : jeudi 14 mars 2013-11:56:00

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00800706 , version 1 (14-03-2013)

Identifiants

HAL Id : hal-00800706 , version 1
DOI : 10.1016/j.mssp.2008.09.016

Citer

J.K.N. Lindner, D. Hourlier, D. Kraus, M. Weinl, Thierry Melin, et al.. TEM characterization of Si nanowires grown by CVD on Si pre-structured by nanosphere lithography. Materials Science in Semiconductor Processing, 2008, 11, pp.169-174. ⟨10.1016/j.mssp.2008.09.016⟩. ⟨hal-00800706⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE

15 Consultations

0 Téléchargements

TEM characterization of Si nanowires grown by CVD on Si pre-structured by nanosphere lithography

Dates et versions

Identifiants

Citer

Exporter

Collections

Altmetric

Partager