Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00798219
Soumis le : vendredi 8 mars 2013-11:10:05
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00798219 , version 1
Citer
M. Gassoumi, H. Mosbahi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref. Analysis of surface charging effects in passivated AlGaN/GaN HEMTs. European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2012, Symposium Q : Novel materials and fabrication methods for new emerging devices, 2012, Strasbourg, France. ⟨hal-00798219⟩
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