Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00797314
Soumis le : mercredi 6 mars 2013-10:10:47
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00797314 , version 1
Citer
H. Nguyen Van, A. N. Baranov, R. Teissier, M. Zaknoune. InAs hot electron transistors with cutoff frequency above 200 GHz. 24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012, 2012, Santa Barbara, CA, United States. ⟨hal-00797314⟩
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