Surface passivation effects on AlGaN/GaN high electron mobility transistors with SiO2

M. Gassoumi; Christophe Gaquière; H. Maaref

doi:10.1166/sl.2011.1787

Article Dans Une Revue Sensor letters Année : 2011

Surface passivation effects on AlGaN/GaN high electron mobility transistors with SiO2

, (1) ,

1

M. Gassoumi

Fonction : Auteur

Christophe Gaquière

Fonction : Auteur
PersonId : 746853
IdHAL : christophe-gaquiere
ORCID : 0000-0003-3082-2489
IdRef : 059765615

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

H. Maaref

Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00795918

Soumis le : vendredi 1 mars 2013-10:26:20

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00795918 , version 1 (01-03-2013)

Identifiants

HAL Id : hal-00795918 , version 1
DOI : 10.1166/sl.2011.1787

Citer

M. Gassoumi, Christophe Gaquière, H. Maaref. Surface passivation effects on AlGaN/GaN high electron mobility transistors with SiO2. Sensor letters, 2011, 9, pp.2175-2177. ⟨10.1166/sl.2011.1787⟩. ⟨hal-00795918⟩

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