Article Dans Une Revue
Sensor letters
Année : 2011
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00795894
Soumis le : vendredi 1 mars 2013-10:32:06
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Gassoumi, M.M. Ben Salem, S. Saadaoui, W. Chikhaoui, Christophe Gaquière, et al.. Characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistor grown on silicon carbide devices with a gate length Lg = 0.15 µm. Sensor letters, 2011, 9, pp.2178-2181. ⟨10.1166/sl.2011.1788⟩. ⟨hal-00795894⟩
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