Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2012
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00790413
Soumis le : mercredi 20 février 2013-11:16:11
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
F. Ravaux, Emmanuel Dubois, Z.K. Chen. Schottky barrier height reduction using strained silicon-on-insulator and dopant segregation. Microelectronic Engineering, 2012, 98, pp.391-394. ⟨10.1016/j.mee.2012.05.045⟩. ⟨hal-00790413⟩
Collections
20
Consultations
0
Téléchargements