Growth mechanism and properties of InGaN insertions in GaN nanowires

Gabriel Tourbot (1, 2) , Catherine Bougerol (3) , Frank Glas (4) , Luiz Fernando Zagonel (5) , Z. Mahfoud (5) , S. Meuret (5) , P. Gilet (2) , Mathieu Kociak (5) , Bruno Gayral (1) , Bruno Daudin

1 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 NEEL - NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
4 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures
5 LPS - Laboratoire de Physique des Solides

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Gabriel Tourbot, Catherine Bougerol, Frank Glas, Luiz Fernando Zagonel, Z. Mahfoud, et al.. Growth mechanism and properties of InGaN insertions in GaN nanowires. Nanotechnology, 2012, 23, pp.135703. ⟨10.1088/0957-4484/23/13/135703⟩. ⟨hal-00788827⟩