Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00788193
Soumis le : jeudi 14 février 2013-09:10:57
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.L. Trolet, et al.. [Review] Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlGaN/GaN HEMTs. Solid-State Electronics, 2012, 72, pp.15-21. ⟨10.1016/j.sse.2011.12.002⟩. ⟨hal-00788193⟩
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