Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Nuclear Science
Année : 2012
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https://hal.science/hal-00788175
Soumis le : jeudi 14 février 2013-07:57:23
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
F. Berthet, Y. Guhel, B. Boudart, H. Gualous, J.L. Trolet, et al.. Influence of thermal and fast neutron irradiation on DC electrical performances of AlGaN/GaN transistors. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2012, 59, pp.2556-2561. ⟨10.1109/TNS.2012.2209894⟩. ⟨hal-00788175⟩
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