Electrical characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Electron Devices Année : 2012

Electrical characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate

H. Mosbahi
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
H. Mejri
  • Fonction : Auteur
M.A. Zaidi
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00788172

Soumis le : jeudi 14 février 2013-08:05:03

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00788172 , version 1 (14-02-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00788172 , version 1

Citer

H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, et al.. Electrical characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate. Journal of Electron Devices, 2012, 15, pp.1225-1231. ⟨hal-00788172⟩

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