Monolithic integration of high electron mobility InAs-based heterostructure on exact (001) silicon using a GaSb/GaP accommodation layer

L. Desplanque (1) , S. El Kazzi , Christophe Coinon , S. Ziegler , B. Kunert , A. Beyer , K. Volz , W. Stolz , Y. Wang , P. Ruterana , X. Wallart

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

L. Desplanque, S. El Kazzi, Christophe Coinon, S. Ziegler, B. Kunert, et al.. Monolithic integration of high electron mobility InAs-based heterostructure on exact (001) silicon using a GaSb/GaP accommodation layer. Applied Physics Letters, 2012, 101, pp.142111-1-4. ⟨10.1063/1.4758292⟩. ⟨hal-00787025⟩