Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2012
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00787019
Soumis le : lundi 11 février 2013-11:08:48
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
G. Moschetti, P.A. Nilsson, A. Hallen, L. Desplanque, X. Wallart, et al.. Planar InAs/AlSb HEMTs with ion-implanted isolation. IEEE Electron Device Letters, 2012, 33, pp.510-512. ⟨10.1109/LED.2012.2185480⟩. ⟨hal-00787019⟩
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