Electrical properties of InAs1-xSbx and InSb nanowires grown by molecular beam epitaxy

C. Thelander; P. Caroff; S.R. Plissard; K.A. Dick

doi:10.1063/1.4726037

Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2012

Electrical properties of InAs1-xSbx and InSb nanowires grown by molecular beam epitaxy

, (1) , ,

1

C. Thelander

Fonction : Auteur

P. Caroff

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

S.R. Plissard

Fonction : Auteur
PersonId : 174125
IdHAL : splissard
ORCID : 0000-0002-0769-5429
IdRef : 129352276

K.A. Dick

Fonction : Auteur

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

Fichier principal

Thelander_2012_1.4726037.pdf (1.05 Mo)

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https://hal.science/hal-00786987

Soumis le : vendredi 27 mai 2022-15:04:20

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Archivage à long terme le : mardi 30 août 2022-10:12:11

Dates et versions

hal-00786987 , version 1 (27-05-2022)

Identifiants

HAL Id : hal-00786987 , version 1
DOI : 10.1063/1.4726037

Citer

C. Thelander, P. Caroff, S.R. Plissard, K.A. Dick. Electrical properties of InAs1-xSbx and InSb nanowires grown by molecular beam epitaxy. Applied Physics Letters, 2012, 100, pp.232105-1-4. ⟨10.1063/1.4726037⟩. ⟨hal-00786987⟩

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