Undoped and arsenic-doped low temperature (~165°C) microcrystalline silicon for electronic devices process - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Undoped and arsenic-doped low temperature (~165°C) microcrystalline silicon for electronic devices process

Katell Kervella  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00776144

Soumis le : mardi 15 janvier 2013-10:05:14

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:56

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00776144 , version 1 (15-01-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00776144 , version 1

Citer

Khalid Kandoussi, Claude Simon, Nathalie . Coulon, Tayeb Mohammed-Brahim, Alain Moreac. Undoped and arsenic-doped low temperature (~165°C) microcrystalline silicon for electronic devices process. Int. Conf. Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS'21), Sep 2005, Lisbonne, Portugal. ⟨hal-00776144⟩

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