Low frequency noise model in N-MOS transistors operating from sub-threshold to above-threshold regions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2005

Low frequency noise model in N-MOS transistors operating from sub-threshold to above-threshold regions

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Electronique

Katell Kervella  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00772760

Soumis le : vendredi 11 janvier 2013-10:13:36

Dernière modification le : mercredi 20 mars 2024-16:20:04

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Dates et versions

hal-00772760 , version 1 (11-01-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00772760 , version 1

Citer

Christophe Cordier, Abdelmalek Boukhenoufa, Laurent Pichon, Jean-François Michaud. Low frequency noise model in N-MOS transistors operating from sub-threshold to above-threshold regions. Solid-State Electronics, 2005, 49 (8), pp.1376-1380. ⟨hal-00772760⟩

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