Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy

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Journal of Raman Spectroscopy, Wiley, 2012, 43, pp.939-944. 〈10.1002/jrs.3118〉
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Contributeur : Patrick Simon <>
Soumis le : lundi 12 novembre 2012 - 16:34:37
Dernière modification le : mercredi 4 janvier 2017 - 16:21:13

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F. Linez, A. Canizares, A. Gentils, G. Guimbretiere, P. Simon, et al.. Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy. Journal of Raman Spectroscopy, Wiley, 2012, 43, pp.939-944. 〈10.1002/jrs.3118〉. 〈hal-00750912〉

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