Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy

F. Linez; A. Canizares; A. Gentils; G. Guimbretiere; P. Simon; M.-F. Barthe

doi:10.1002/jrs.3118

Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy

F. Linez ¹ A. Canizares ¹ A. Gentils ² G. Guimbretiere ¹ P. Simon ¹ M.-F. Barthe ¹

1 CEMHTI - Conditions Extrêmes et Matériaux : Haute Température et Irradiation

2 CSNSM - Centre de Spectrométrie Nucléaire et de Spectrométrie de Masse

Type de document :

Article dans une revue

Journal of Raman Spectroscopy, Wiley, 2012, 43, pp.939-944. 〈10.1002/jrs.3118〉

Domaine :

Chimie / Matériaux

Liste complète des métadonnées

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00750912
Contributeur : Patrick Simon <>
Soumis le : lundi 12 novembre 2012 - 16:34:37
Dernière modification le : mercredi 4 janvier 2017 - 16:21:13

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