Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy

Type de document :
Article dans une revue
Journal of Raman Spectroscopy, Wiley, 2012, 43, pp.939-944. <10.1002/jrs.3118>
Domaine :


https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00750912
Contributeur : Patrick Simon <>
Soumis le : lundi 12 novembre 2012 - 16:34:37
Dernière modification le : vendredi 4 décembre 2015 - 11:39:54

Identifiants

Collections

Citation

F. Linez, A. Canizares, A. Gentils, G. Guimbretiere, P. Simon, et al.. Determination of the disorder profile in an ion-implanted silicon carbide single crystal by Raman spectroscopy. Journal of Raman Spectroscopy, Wiley, 2012, 43, pp.939-944. <10.1002/jrs.3118>. <hal-00750912>

Exporter

Partager

Métriques

Consultations de la notice

48