Damage free cryogenic etching of porous organosilicate low-k films for advanced interconnect application - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Damage free cryogenic etching of porous organosilicate low-k films for advanced interconnect application

Liping Zhang
  • Fonction : Auteur
Rami Ljazouli
  • Fonction : Auteur
Yuri Mankelevich
  • Fonction : Auteur
Jean-Francois de Marneffe
  • Fonction : Auteur
Stefan de Gendt
Mikhail Baklanov
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00747749 , version 1 (01-11-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00747749 , version 1

Citer

Liping Zhang, Rami Ljazouli, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, et al.. Damage free cryogenic etching of porous organosilicate low-k films for advanced interconnect application. AVS 59th International Symposium and Exhibition, Oct 2012, Tampa, United States. ⟨hal-00747749⟩
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