Buried selective growth of p-doped SiC by VLS epitaxy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Buried selective growth of p-doped SiC by VLS epitaxy

Davy Carole
Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
Stéphane Berckmans
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
Arthur Vo-Ha
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
Mihai Lazar
Ampère
CV
Dominique Tournier
Ampère
Pierre Brosselard
Ampère
CV
Véronique Soulière
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
Laurent Auvray
Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
Gabriel Ferro
Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces
Christian Brylinski
Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces

Domaines

Energie électrique

Publications Ampère  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00747294

Soumis le : mardi 30 octobre 2012-23:37:31

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00747294 , version 1 (30-10-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00747294 , version 1

Citer

Davy Carole, Stéphane Berckmans, Arthur Vo-Ha, Mihai Lazar, Dominique Tournier, et al.. Buried selective growth of p-doped SiC by VLS epitaxy. CSCRM, Sep 2011, Cleveland, United States. ⟨hal-00747294⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-LYON1 INSA-LYON EC-LYON AMPERE LMI INC-CNRS INSA-GROUPE UDL INRAE
85 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More