An inverted-gap analog tuning RF-MEMS capacitor with 250 mW power handling capability - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

An inverted-gap analog tuning RF-MEMS capacitor with 250 mW power handling capability

Fabien Barrière
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 919451
Damien Passerieux
David Mardivirin
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 919510
Arnaud Pothier
Pierre Blondy
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 915831

Résumé

A novel analog tuning MEMS variable capacitor is presented. By using an inverted-gap configuration, the mechanical effects of large RF-signals can be cancelled. Fabricated devices could handle 250 mW of power, with measured 2.2:1 capacitance variation, very high Q, and extremely low parasitic series inductance up to 10 GHz.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00734112 , version 1 (20-09-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00734112 , version 1

Citer

Fabien Barrière, Damien Passerieux, David Mardivirin, Arnaud Pothier, Pierre Blondy. An inverted-gap analog tuning RF-MEMS capacitor with 250 mW power handling capability. IEEE MEMS 2012 Conference, Jan 2012, Paris, France. pp.676 - 679. ⟨hal-00734112⟩

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