Effect of oxygen vacancy on the dielectric relaxation of BaTiO3 thin films in a quenched state - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2012
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Dates et versions

hal-00731054 , version 1 (11-09-2012)

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Citer

Shenghong Yao, Jinkai Yuan, Patrice Gonon, Jinbo Bai, Sébastien Pairis, et al.. Effect of oxygen vacancy on the dielectric relaxation of BaTiO3 thin films in a quenched state. Journal of Applied Physics, 2012, 111, pp.104109. ⟨10.1063/1.4717758⟩. ⟨hal-00731054⟩
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